Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷基片银薄膜减薄
某陶瓷基片制造商采用伯东hakuto离子蚀刻机20ibe-j应用于5g陶瓷基片银薄膜减薄,通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄,并降低工差,提高薄膜均匀性.
hakuto离子蚀刻机20ibe-j技术参数
φ4 inch x 12片
基片尺寸
φ4 inch x 12片
φ5 inch x 10片
φ6 inch x 8片
均匀性
±5%
硅片刻蚀率
20 nm/min
样品台
直接冷却,水冷
离子源
φ20cm考夫曼离子源
hakuto离子刻蚀机20ibe-j的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国考夫曼博士创立的kri考夫曼公司的射频离子源rficp220
伯东kri射频离子源rficp 220技术参数:
离子源型号
rficp 220
discharge
rficp射频
离子束流
>800 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
20 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
10-40 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
中和器
lfn 2000
推荐hakuto离子蚀刻机20ibe-j理由:
1. 客户要求规模化生产, hakuto离子蚀刻机20ibe-j适合大规模量产使用
2. 刻蚀均匀性5%,满足客户要求
3. 硅片刻蚀率20 nm/min
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论,请参考以下联络方式:
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