KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射制备 LaF3 薄膜
某光学薄膜制造商采用20cm的溅射源为kri考夫曼射频离子源rficp220辅助溅射制备laf3薄膜.
伯东kri射频离子源rficp220技术参数:
离子源型号
rficp220
discharge
rficp射频
离子束流
>800 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
20 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
10-40 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
长度
30 cm
直径
41 cm
中和器
lfn 2000
*可选:灯丝中和器;可变长度的增量
运行结果:
1.采用kri考夫曼射频离子源rficp220镀制的laf3薄膜折射率更高,且不存在折射率的梯度分布
2.制备的laf3薄膜的环境稳定性更高
3.离子源溅射制备的减反膜透过率为99.2%,反射率为0.1%,表现了较好的光学特性
伯东是德国pfeiffer真空泵,检漏仪,质谱仪,真空计,美国kri考夫曼离子源,美国hva真空阀门,美国intest高低温冲击测试机,美国ambrell感应加热设备和日本ns离子蚀刻机等进口品牌的代理商.
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