新型传感器的开发和应用
目前，我国传感器行业规模较小，应用范围较窄。为此，我们亟须转变观念，将传感器的研发由单一物性型传感器的研发，转化为高度集成的新型传感器研发。新型传感器的开发和应用已成为现代系统的核心和关键，它将成为21世纪信息产业新的经济增长点。品种规格已有近6000种
我国早在20世纪60年代就开始涉足传感器制造业。我国在1972年组建成立中国*批压阻传感器研制生产单位；1974年，研制成功中国*个实用压阻式压力传感器；1978年，诞生中国*个固态压阻加速度传感器；1982年，早开始硅微机械系统（mems）加工技术和soi（绝缘体上硅）技术的研究。
进入20世纪90年代后，硅微机械加工技术的压力传感器、微压传感器、*压传感器、多晶硅压力传感器、低成本to-8封装压力传感器等相继问世并实现生产。
改革开放30年来，我国传感器技术及其产业取得了长足进步，主要表现在：建立了传感技术国家重点实验室、微米/纳米国家重点实验室、国家传感技术工程中心等研究开发基地；mems、moems（微光机电系统）等研究项目列入了国家*发展重点；在“九五”国家重点科技攻关项目中，传感器技术研究取得了51个品种86个规格新产品的成绩，初步建立了敏感元件与传感器产业；2007年传感器业总产量达到20.93亿只，品种规格已有近6000种，并已在国民经济各部门和国防建设中得到一定应用。
我国在20世纪80年代末就将传感器列入国家*发展的重点，经过“八五”、“九五”和“十五”的攻关和产业化建设，目前全国已有2000多家企事业单位从事传感器的研制、生产和应用。由于经济发展水平和生产研发资金的限制，我国传感器行业总体技术水平还是相对比较落后的，规模和应用领域都较小。今天活跃在市场上的仍然是德国、日本、美国、俄国等老牌工业国家的企业。在这些国家里，传感器的应用范围很广，许多厂家的生产都实现了规模化，有些企业的年生产能力达到几千万只甚至几亿只。相比之下，中国传感器的应用范围较窄，更多的应用仍然停留在工业测量与控制等基础应用领域。
微电子推动传感器发展
几十年来，微电子技术促进了传感器技术的发展。未来10年～20年，传统硅技术将进入成熟期（预计在2014年～2017年）。从总体发展看，传统硅技术市场将一直延续到2047年（即晶体管发明100周年）才趋于饱和（即达到芯片特征尺寸的极限）并衰退。而当前微电子技术仍将依循“等缩比原理”和“摩尔定律”两条基础定律走下去，在逼近传统硅技术极限中，不断扩展硅的跨学科横向应用（如mems等）和更*应用（量子、分子器件）。而上述微电子技术的两大发展方向正是当前乃至未来20年传感器技术的主要发展方向。
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