非接触型（双面探头型）和非破坏型（单面探头型）
如上所述，在非接触型中，通过将样品插入上下配对的探针之间的间隙中来执行测量。
因此，探针单元的形状不可避免地限制了样品的厚度和相应的尺寸。
样品厚度限制：探针之间的间隙通常为2 mm。样品支架尺寸限制：由于u形单元的形状，深度受到限制。
因此，为了处理大样本和厚样本，我们通过应用涡流技术开发并制造了一种单面手持式探头。
如左图所示，只需垂直于样品表面触摸探头即可进行测量。
日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪
测量规格测量目标
半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，sic等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，dlc，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ito等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（gaas epi，gan epi，inp，ga等）
其他（*请与我们联系）
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
测量范围
[电阻] 1m至200ω·cm
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kω/ sq
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500ω/□（0。 2至15ω-cm）
测量规格测量目标
半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，sic等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，dlc，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ito等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（gaas epi，gan epi，inp，ga等）
其他（*请与我们联系）
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
测量范围
[电阻] 1m至200ω·cm
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kω/ sq
（*所有探头类型的总范围）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500ω/□（0。 2至15ω-cm）
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（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
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0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
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（1）低：0.01至0.5ω/□（0.001至
0.05ω-cm）（2）中：0.5至10ω/□（0.05至0.5ω-cm）
（3））高：10至1000ω/□（0.5至60ω-cm）
（4）s-高：1000至3000ω/□（60至200ω-cm）
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