防爆手电筒的发光原理及特性
防爆手电筒的发光原理：发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas（砷化镓）、gap（磷化镓）、gaasp（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光 。
防爆手电筒的特性：
（1）允许功耗pm:允许加于led两端正向直流电压与流过它的电流之积的大值。超过此值，led发热、损坏。
（2）大正向直流电流ifm：允许加的大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
（3）大反向电压vrm：所允许加的大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。
（5）打开电源时，不会产生火花，从而在危险空间不会因火花而发生爆炸的可能，达到防爆的效果，所以叫防爆手电。
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（3）大反向电压vrm：所允许加的大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
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