MC热点｜半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶
据第三方机构智研咨询统计，至2022年quanqiu光刻胶市场规模将超过100亿美元。光刻胶按应用领域分类，可分为 pcb 光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。quanqiu市场上不同种类光刻胶的市场结构较为均衡，具体占比可以如下图所示。
据智研咨询的数据显示，受益于半导体、显示面板、pcb产业东移的趋势，2019年中国光刻胶市场本土企业销售规模约70亿元，quanqiu占比约10%，发展空间巨大。目前，中国本土光刻胶以pcb用光刻胶为主，平板显示、半导体用光刻胶供应量占比极低。中国本土光刻胶企业生产结构可以如图所示。
光刻胶的分类
光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。在紫外光等光照或辐射下，溶解度会发生变化的薄膜材料。
按曝光波长，可主要分为g-line、i-line、krf、arf d&arf i、euv等光刻胶。
在大规模集成电路的制造过程中，一般要对硅片进行超过十次光刻。在每次的光刻和刻蚀工艺中，光刻胶都要通过预烘、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影和蚀刻等环节，将光罩（掩膜版）上的图形转移到硅片上。
光刻胶是集成电路制造的重要材料：光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-50%。光刻胶材料约占ic制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。
光刻胶的技术壁垒
光刻胶的生产工艺主要过程是将感光材料、树脂、溶剂等主要原料在恒温恒湿 1000 级的黄光区洁净房进行混合，在氮气气体保护下充分搅拌，使其充分混合形成均相液体，经过多次过滤，并通过中间过程控制和检验，使其达到工艺技术和质量要求，后做产品检验，合格后在氮气气体保护下包装、打标、入库。整个工艺流程可以如下图所示：
光刻胶的技术壁垒包括配方技术，质量控制技术和原材料技术。配方技术是光刻胶实现功能的核心，质量控制技术能够保证光刻胶性能的稳定性而高品质的原材料则是光刻胶性能的基础。
配方技术：由于光刻胶的下游用户是ic芯片和fpd面板制造商，不同的客户会有不同的应用需求，同一个客户也有不同的光刻应用需求。一般一块半导体芯片在制造过程中需要进行10-50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。针对以上不同的应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商核心的技术。
质量控制技术：由于用户对光刻胶的稳定性、一致性要求高，包括不同批次间的一致性，通常希望对感光灵敏度、膜厚的一致性保持在较高水平，因此，光刻胶生产商不仅仅要有齐全的测试仪器，还需要建立一套严格的qa体系以保证产品的质量稳定。
原材料技术：光刻胶是一种经过严格设计的复杂、精密的配方产品，由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等不同性质的原料，通过不同的排列组合，经过复杂、精密的加工工艺而制成。因此，光刻胶原材料的品质对光刻胶的质量起着关键作用。对于半导体化学化学试剂的纯度，半导体设备和材料组织（semi）制定了统一标准，如下表中所示：
光刻胶行业具有*的行业壁垒，因此在quanqiu范围其行业都呈现寡头垄断的局面。光刻胶行业长年被日本和美国专业公司垄断。目前前五大厂商就占据了quanqiu光刻胶市场 87%的份额，行业集中度高。其中，日本 jsr、东京应化、日本信越与富士电子材料*加和达到72%。
并且高分辨率的 krf 和 arf 半导体光刻胶核心技术亦基本被日本和美国企业所垄断，产品绝大多数出自日本和美国公司，如杜邦、jsr 株式会社、信越化学、东京应化工业、fujifilm，以及韩国东进等企业。
在半导体和面板光刻胶领域，尽管国产光刻胶距离guoji xianjin水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中国已经有一批光刻胶企业陆续实现了技术突破。
在我国成熟制程、14nm finfet、存储厂纷纷建产后，光刻胶作为集成电路光刻工艺的关键材料，未来的市场需求将步入高速增长。但目前国内晶圆厂的光刻胶大部分依赖于tok、信越、dow等品牌，国产化品牌北京科华、瑞红在i-line光刻胶和krf光刻胶有所突破，南大光电、上海新阳在arf光刻胶也有所布局。
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光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。在紫外光等光照或辐射下，溶解度会发生变化的薄膜材料。
按曝光波长，可主要分为g-line、i-line、krf、arf d&arf i、euv等光刻胶。
在大规模集成电路的制造过程中，一般要对硅片进行超过十次光刻。在每次的光刻和刻蚀工艺中，光刻胶都要通过预烘、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影和蚀刻等环节，将光罩（掩膜版）上的图形转移到硅片上。
光刻胶是集成电路制造的重要材料：光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-50%。光刻胶材料约占ic制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。
光刻胶的技术壁垒
光刻胶的生产工艺主要过程是将感光材料、树脂、溶剂等主要原料在恒温恒湿 1000 级的黄光区洁净房进行混合，在氮气气体保护下充分搅拌，使其充分混合形成均相液体，经过多次过滤，并通过中间过程控制和检验，使其达到工艺技术和质量要求，后做产品检验，合格后在氮气气体保护下包装、打标、入库。整个工艺流程可以如下图所示：
光刻胶的技术壁垒包括配方技术，质量控制技术和原材料技术。配方技术是光刻胶实现功能的核心，质量控制技术能够保证光刻胶性能的稳定性而高品质的原材料则是光刻胶性能的基础。
配方技术：由于光刻胶的下游用户是ic芯片和fpd面板制造商，不同的客户会有不同的应用需求，同一个客户也有不同的光刻应用需求。一般一块半导体芯片在制造过程中需要进行10-50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。针对以上不同的应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商核心的技术。
质量控制技术：由于用户对光刻胶的稳定性、一致性要求高，包括不同批次间的一致性，通常希望对感光灵敏度、膜厚的一致性保持在较高水平，因此，光刻胶生产商不仅仅要有齐全的测试仪器，还需要建立一套严格的qa体系以保证产品的质量稳定。
原材料技术：光刻胶是一种经过严格设计的复杂、精密的配方产品，由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等不同性质的原料，通过不同的排列组合，经过复杂、精密的加工工艺而制成。因此，光刻胶原材料的品质对光刻胶的质量起着关键作用。对于半导体化学化学试剂的纯度，半导体设备和材料组织（semi）制定了统一标准，如下表中所示：
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