igbt模块可通过控制UGE的大小来实现阻断状态
igbt是能源转换与传输的核心器件，是电力电子装置的“cpu”。采用igbt进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。损坏的igbt模块要分析失效原因，或者外观完好的模块要判断是否有异常，在缺乏专门仪器的情况下，数字万用表作为常用工具，可以帮助我们快速判别igbt好坏，这时一般会用到万用表的二极管档、电阻档、电容档。值得注意的是，万用表的测试数据并不具有通用性，只能作为参考依据。
以常见的62mm封装igbt模块为例，其内部由igbt（绝缘栅双极型晶体管）芯片、fwd（续流二极管）芯片、邦定线等构成，部分大电流模块还需由多组芯片进行组合。在igbt使用过程中，可以通过控制其集-射极电压uce和栅-射极电压uge的大小，从而实现对igbt导通/关断/阻断状态的控制。
1、当igbt栅-射极加上加0或负电压时，mosfet内沟道消失，igbt呈关断状态。
2、当集-射极电压uce＜0时，j3的pn结处于反偏，igbt呈反向阻断状态。
3、当集-射极电压uce＞0时，分两种情况：
②若栅-射极电压uge＜uth，沟道不能形成，igbt呈正向阻断状态。
②若栅-射极电压uge＞uth，栅极沟道形成，igbt呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从p+区注入到n基区进行电导调制，减少n基区电阻rn的值，使igbt通态压降降低。
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