微电子所在氮化镓高压电力电子器件领域取得新进展
近日，*微电子研究所高频高压中心在氮化镓高压电力电子器件领域取得突破性进展，提出了一种低损伤、高性能的新型氮化镓横向肖特基二极管结构，有望提升各类电源和无线充电系统的效率和功率密度，显著降低系统成本，具有广阔的市场前景。
肖特基二极管是各类电源模块、ups、光伏发电、电动汽车、无线充电应用中*的原件，主要用于整流、续流以及防护用途。对比传统的硅基肖特基二极管，氮化镓肖特基二极管更耐压，适合于300v以上的电路系统，具有非常广阔的应用空间。传统的氮化镓肖特基二极管存在开启电压与反向泄露电流相互制约的问题。为满足大规模生产制备的需求，开发具有高均匀、高可靠的工艺是实现氮化镓肖特基二极管产业化的关键。
微电子所研究员刘新宇研究团队提出了一种基于algan/gan异质结材料体系，通过采用导电机制融合和能带分区调控的*技术路线改变传统氮化镓肖特基二极管正向电压与反向电流等参数之间的经典调控规律，采用无损伤工艺，提升了器件的均匀性和可靠性，进一步提升了氮化镓肖特基二极管的性能。测试结果达到1700v反向耐压，正向开启电压达到0.38v以及高防浪涌能力，为肖特基二极管器件市场提供了一种新选择。
基于该研究成果的论文recess-free algan/gan lateral schottky barrier controlled schottky rectifier with low turn-on voltage and high reverse blocking被2018年ieee功率半导体器件与功率集成电路会议(ispsd 2018)收录，团队成员康玄武在大会上作了口头报告，这是中科院的科研团队受邀在该会议上作大会报告。会后康玄武与产业界公司安森美(on semiconductor)和英飞凌(infineon)等进行了深层次技术交流并达成合作共识。
(1)高击穿肖特基的典型反向i-v特性。(2)高均匀性的器件正向导通性能。(3)该器件与同行业的器件性能比较
编辑点评
为满足大规模生产制备的需求，开发具有高均匀、高可靠的工艺是实现氮化镓肖特基二极管产业化的关键。*微电子研究所提出了一种低损伤、高性能的新型氮化镓横向肖特基二极管结构，有望提升各类电源和无线充电系统的效率和功率密度，显著降低系统成本。
(原标题：微电子所在氮化镓高压电力电子器件领域取得进展)
HI-Q 滤纸 FP2063-47技术参数
滚珠丝杆预紧有哪些
吨袋投料系统由哪些组成
三河市工地100吨汽车衡,燕郊电子地磅100T
LGSR80HB鼓风机多少钱?
微电子所在氮化镓高压电力电子器件领域取得新进展
CAT高压柱塞泵2530沃泰斯润滑脂2000-S-P
制备液相为什么强调纯度？
试验箱设备整体配件使用清单介绍
激光切管机应用之金属家具
一起来了解下气相色谱仪的一般分析流程
SPL-310076昆虫繁殖盒 PS 72x72x100mm 底透气孔40mm 说明
德瑞克小课堂｜实验室建设的一个原则、四个理念、八大系统
磁力反应釜zui为常见的故障以及解决方案
反渗透设备中密封圈出现膨胀现象怎么处理？
土壤“美容术”密集更新，“净土”空间再扩大！
数控立式加工中心加工复合材料注意事项
陶瓷散装填料一起了解下
数控仿真软件在教学运用时的问题及应对方法
实验室废水处理设备是由什么组成的
肖特基二极管是各类电源模块、ups、光伏发电、电动汽车、无线充电应用中*的原件，主要用于整流、续流以及防护用途。对比传统的硅基肖特基二极管，氮化镓肖特基二极管更耐压，适合于300v以上的电路系统，具有非常广阔的应用空间。传统的氮化镓肖特基二极管存在开启电压与反向泄露电流相互制约的问题。为满足大规模生产制备的需求，开发具有高均匀、高可靠的工艺是实现氮化镓肖特基二极管产业化的关键。
微电子所研究员刘新宇研究团队提出了一种基于algan/gan异质结材料体系，通过采用导电机制融合和能带分区调控的*技术路线改变传统氮化镓肖特基二极管正向电压与反向电流等参数之间的经典调控规律，采用无损伤工艺，提升了器件的均匀性和可靠性，进一步提升了氮化镓肖特基二极管的性能。测试结果达到1700v反向耐压，正向开启电压达到0.38v以及高防浪涌能力，为肖特基二极管器件市场提供了一种新选择。
基于该研究成果的论文recess-free algan/gan lateral schottky barrier controlled schottky rectifier with low turn-on voltage and high reverse blocking被2018年ieee功率半导体器件与功率集成电路会议(ispsd 2018)收录，团队成员康玄武在大会上作了口头报告，这是中科院的科研团队受邀在该会议上作大会报告。会后康玄武与产业界公司安森美(on semiconductor)和英飞凌(infineon)等进行了深层次技术交流并达成合作共识。
(1)高击穿肖特基的典型反向i-v特性。(2)高均匀性的器件正向导通性能。(3)该器件与同行业的器件性能比较
编辑点评
为满足大规模生产制备的需求，开发具有高均匀、高可靠的工艺是实现氮化镓肖特基二极管产业化的关键。*微电子研究所提出了一种低损伤、高性能的新型氮化镓横向肖特基二极管结构，有望提升各类电源和无线充电系统的效率和功率密度，显著降低系统成本。
(原标题：微电子所在氮化镓高压电力电子器件领域取得进展)
HI-Q 滤纸 FP2063-47技术参数
滚珠丝杆预紧有哪些
吨袋投料系统由哪些组成
三河市工地100吨汽车衡,燕郊电子地磅100T
LGSR80HB鼓风机多少钱?
微电子所在氮化镓高压电力电子器件领域取得新进展
CAT高压柱塞泵2530沃泰斯润滑脂2000-S-P
制备液相为什么强调纯度？
试验箱设备整体配件使用清单介绍
激光切管机应用之金属家具
一起来了解下气相色谱仪的一般分析流程
SPL-310076昆虫繁殖盒 PS 72x72x100mm 底透气孔40mm 说明
德瑞克小课堂｜实验室建设的一个原则、四个理念、八大系统
磁力反应釜zui为常见的故障以及解决方案
反渗透设备中密封圈出现膨胀现象怎么处理？
土壤“美容术”密集更新，“净土”空间再扩大！
数控立式加工中心加工复合材料注意事项
陶瓷散装填料一起了解下
数控仿真软件在教学运用时的问题及应对方法
实验室废水处理设备是由什么组成的