plasma等离子处理系统厂家：铟镓砷的蚀刻
铟镓砷的主要用途是作为沟道材料，且被视为将来纳米nmos的沟道材料的。 一股来说，铟镓砷在沟道内会形成一层或多层量子阱传输，其迁移率可以达到单晶水平，主要的制约将出现在各接触界面位置。这对蚀刻来说的好处是目的单一，就是定义沟道材料的图形。较早期利用ccl2f2气体来蚀刻，但是由于选择比和等离子体损伤底层薄膜的原因，又有人开发出来了chf3+bcl3和cf4+bcl3两种组合气体等离子体蚀刻方案。从效果上看两种方案都可达到较快的蚀刻速率，以及对inalas的高选择比，而且在低压高射频功率时更容易实现。其对两种相近材料的蚀刻率不同是由于反应产物的挥发性差异。gacl3和 ascl3都较易挥发，而alcl3挥发较困难，会影响进一步蚀刻。
氟的使用量会影响inaias的蚀刻率。而含氟气体流量的加大会显著改变铟铝砷和铟镓砷的选择比。使用chf3和bcl3的气体组合或者cf4和bcl3选择比都会提高一倍以上。对两类气体组合的压力和射频功率对蚀刻率的影响：两种组合都是压力越大蚀刻率越低，这与我们一般的蚀刻规律一致，因为压力增大会增加等离子体的碰撞和湮灭几率，降低等离子体能量，使得蚀刻率下降。而一般来说，射频功率越高蚀刻率则越快，这是因为等离子体的解离率会变高。
这几种蚀刻的方式较为常见，研究得也较透彻，报道也很多。相比之下，在鳍式场效应晶体管的制作中，尽管有过铟镓砷的报道，但相关的蚀刻细节却不曾被披露。从使用的气体看应该是化学反应和高速轰击相结合的方式，bcl3会很容易与铟镓砷中的各元素反应，而ar可能为轰击源。从定义出的图形看，有倾斜的侧壁形貌，但总体的高度较高。
新近崛起的中性粒子蚀刻也被应用于铟镓砷的蚀刻当中。日本的研究组对中性粒子蚀刻三五族化合物的研究较多。他们不但采用了这种极其*的蚀刻技术而且利用有机材料作为蚀刻的掩膜。本来有机掩膜材质酥软很容易在等离子体的轰击下变形、塌缩、产生缺陷， 从而导致图形定义偏差，这也是为什么集成电路的加工逐渐从软的、单一的掩膜材料变为硬 的、多层的掩膜材料的原因。但搭配中性粒子蚀刻技术，较软的有机掩膜又有了可用武之地。 因为中性粒子主要依靠干法化学蚀刻，电子温度极低，可以有效保护掩膜材料。铟镓砷和镓砷反复经过分子束外延技术形成多层结构后，一种含有铁化合物的聚乙烯乙二醇被旋涂在多层结构表面(一种含水氧化铁)。含铁的化合物作为有机材料的“核”存在，可以有效控制不同核的距离，完成后利用氢气等离子体去除核的外围保护壳层再去除氧化物中的氧形成孤立的铁纳米粒子，均匀等距地分布在表面作为蚀刻的掩膜。为防止蚀刻前的二次氧化，可在蚀刻前再经过氢等离子体处理。用氯中性粒子定义图形，完成深孔蚀刻。该方法同样可以用于铟镓砷和镓砷化合物半导体，形成较高深宽比的孔或沟槽图形。
该方法对于温度的依赖性较强由于温度能够直接影影响化学反应的速率，可以利用温度来实现蚀刻中的蚀刻速率和形貌控制。低温高温都存在问题，低温很难获得足够多的纳米结构，高面的形貌会严重退化，只有在50℃时才能平衡两方面的不足。而偏压对定义图形的形貌也很关键，偏压可以有效平衡不同材料之间的蚀刻速率.这对多层高深宽比的图形定义又极为重要，否则会形成多曲率来图形甚至变形。低的偏压无法获得足够高度的纳米结构，也就是说，在图形底部会有很大倾斜侧壁甚至发生蚀刻终止，但高的偏压会消耗作为掩膜的含铁的“核”，同样难以获得理想的图形。利用中性粒子蚀刻方法对镓砷半导体进行蚀刻的损伤情况的比较，光强越大损伤越严重。在狭窄的缝隙定义中，中性 粒子的损伤力不到连续等离子体的1/10，尽管实际的实验结果并不像理论上的零损伤，但这种低的损伤力对图形的定义已经起到至关重要的作用，尤其是在新的半导体蚀刻工艺中，普遍具有活性高，且保护薄膜的特性。因此中性粒子蚀刻的研究十分必要。
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